Samsung Electrónica ha desarrollado por primera vez en el mundo memoria DDR3 DRAM de 2 gigabytes con la aplicación de la tecnología de proceso de 30 nanómetros.
La firma logró esta hazaña a tan sólo 1 año de haber fabricado un DRAM de una dimensión de 40 nanómetros. La producción en masa del nuevo chip comenzará de lleno a partir del segundo semestre de este año.
Un DRAM de la escala de los 30 nanómetros puede elevar hasta un 60% más la productividad en comparación a otro de 40 nanómetros y sus costes primarios son dos veces más competitivos que los de 50 nanómetros.
Además, con este nanochip es posible ahorrar un 15% y hasta un 40% de la electricidad consumida con relación a las memorias manufacturadas mediante el proceso de 40 y 50 nanómetros respectivamente.
Creditos: KBS WORLD + AVCC 안녕하세요!
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