31 de julio de 2011

Samsung, Toshiba e Intel desarrollarán chip de memoria de 10 nanómetros

Ha arrancado el proyecto internacional destinado a desarrollar tecnologías para producir semiconductores de 10 nanómetros, informó el diario japonés Nihon Geizai.

Participan en esta iniciativa empresas de Corea del Sur, Japón, Estados Unidos y Taiwán, incluidas Samsung Electrónica, Toshiba e Intel que son las mayores fabricantes de memorias flash NAND a nivel mundial.

El plan está liderado por firmas japonesas y financiado por el Gobierno de ese mismo país. Es la primera vez que compañías extranjeras intervienen en un proyecto de desarrollo de chips iniciado por los sectores público y privado de Japón.

El objetivo final es reducir a la mitad el tamaño actual de los semiconductores hasta conseguir unidades de 10 nanómetros para el año 2016. Con esto será posible almacenar en un chip de memoria del tamaño de una estampilla el triple de datos que se guardan en los semiconductores ya existentes.

La tecnología desarrollada será aplicada por Samsung y Toshiba a la producción de memorias flash NAND de 10 nanómetros para teléfonos móviles; mientras que por Intel será utilizada en la fabricación de microprocesadores más rápidos.

Créditos: KBS + AVCC 하세요 안녕!

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